ГЛАВА 4. Процессы плазменной обработки неорганических материалов

Тест 2

1. Скорость реактивного ионно-плазменного травления равна:

   скорости химического процесса;

   скорости физического распыления;

   сумме скоростей физического распыления и химического процесса;

   больше суммы скоростей физического распыления и химического процесса.

    
2. Процесс ионно-лучевого травления характеризуется:

   низкой анизотропией и высокой селективностью;

   низкой анизотропией и низкой селективностью;

   высокой анизотропией и высокой селективностью;

   высокой анизотропией и низкой селективностью.

    
3. Процесс реактивного ионно-плазменного травления характеризуется:

   низкой анизотропией и высокой селективностью;

   низкой анизотропией и низкой селективностью;

   высокой анизотропией и высокой селективностью;

   высокой анизотропией и низкой селективностью.

    
4. Процесс радикального травления характеризуется:

   низкой анизотропией и высокой селективностью;

   низкой анизотропией и низкой селективностью;

   высокой анизотропией и высокой селективностью;

   высокой анизотропией и низкой селективностью.

    
5. К числу достоинств ионно-лучевого травления относятся:

   высокое разрешение процессов;

   низкая селективность травления материала относительно маски;

   ограничение скорости травления за счет теплового воздействия ионов на органическую маску;

   значительное тепловое и радиационное воздействие на обрабатываемые структуры.

    
6. К числу недостатков ионно-лучевого травления относятся:

   высокое разрешение процессов;

   универсальность процесса, позволяющая проводить травление практически любого материала.

   отсутствие загрузочного эффекта;

   значительное тепловое и радиационное воздействие на обрабатываемые структуры.

    
7. Скорость реактивного ионно-лучевого травления в зависимости от энергии первичных ионов имеет вид:

   прямой линии;

   кривой с насыщением;

   кривой с максимумом;

   экспоненты.

    
8. Процесс реактивного ионно-лучевого травления характеризуется:

   низкой анизотропией и высокой селективностью;

   низкой анизотропией и низкой селективностью;

   высокой анизотропией и высокой селективностью;

   высокой анизотропией и низкой селективностью.

    
9. Рассмотрите последовательность процессов при радиационно-стимулированном травлении;
   а) доставка ХАЧ к поверхности обрабатываемого материала с помощью диффузии и газового потока;
   б) удаление с поверхности материала продуктов реакции;
   в) образование продуктов реакции;
   г) генерация химически активных частиц из молекул рабочего газа.

   а,б,в,г   б,а,г,в   г,в,а,б   г,а,б,в  

    
10. Процесс ионно-стимулированного травления характеризуется:

    низкой анизотропией и высокой селективностью;

    низкой анизотропией и низкой селективностью;

    высокой анизотропией и высокой селективностью;

    высокой анизотропией и низкой селективностью.