ГЛАВА 4. Процессы плазменной обработки неорганических материалов

Тест 1

1. Анизотропия процесса травления характеризуется отношением:

   глубины травления к боковому подтравливанию;

   глубины травления к ширине канавки;

   глубины травления к толщине слоя резиста.

    
2. Высокая селективность травления достигается если скорость травления основного материала:

   меньше скорости травления маски;

   равна скорости травления маски;

   больше скорости травления маски;

    
3. Формула хладона 14:

   C₂F₄;

   CF₄

   C₄F₈

   C₂F₂Cl₂

    
4. Увеличения анизотропии плазмохимического травления можно достичь путем:

   увеличения вводимой в разряд мощности;

   уменьшения давления газа в реакторе;

   увеличения частоты поля.

    
5. Скорость радикального травления при одних и тех же параметрах процесса:

   больше;

   равна;

   меньше скорости плазменного травления.

    
6. Наибольшая скорость радикального травления обеспечивается активными частицами:

   с большим временем жизни;

   с малым временем жизни;

   время жизни активной частицы не имеет значения.

    
7. Скорость радикального травления с ростом температуры:

   растет линейно;

   растет экспоненциально;

   не изменяется;

   уменьшается.

    
8. По сравнению с плазменным травлением радикальное травление характеризуется;

   большей скоростью процесса;

   большей анизотропией процесса;

   более высокими радиационными нарушениями подложек;

   более высокой температурой, до которой разогревается образец.

    
9. Наиболее типична для ионного травления энергия ионов;

   5эВ;

   50 эВ;

   500 эВ.

    
10. Наиболее широкое применение процессы ионно-плазменного травления находят:

    при проведении размерного травления материалов;

    для планаризации и очистки поверхностей;

    для проведения процессов, требующих высокой селективности.