ГЛАВА 3. Физико-химические основы процессов взаимодействия активных частиц плазмы с поверхностью

Тест 2

1. Для плазмохимического травления кремния чаще всего используют:

   хлорсодержащие газы;

   кислородсодержащие газы;

   фторсодержащие газы;

   инертные газы.

    
2. Для плазмохимического травления фоторезиста чаще всего используют:

   хлорсодержащие газы;

   кислородсодержащие газы;

   фторсодержащие газы;

   инертные газы.

    
3. Для плазмохимического травления алюминия чаще всего используют:

   хлорсодержащие газы;

   кислородсодержащие газы;

   фторсодержащие газы;

   инертные газы.

    
4. Скорость плазмохимического травления зависит от:

   мощности, вводимой в разряд;

   давления газа;

   скорости потока газа;

   от всех указанных факторов.

    
5. На скорость гетерогенной реакции в плазме влияют:

   температура поверхности;

   наличие ионной бомбардировки поверхности;

   поток УФ квантов на поверхность;

   все указанные факторы.

    
6. При травлении металлов и полупроводников в смесях активного газа и инертной добавки скорость травления в зависимости от доли добавки:

   не изменяется;

   уменьшается;

   проходит через максимум;

   увеличивается.

    
7. Для плазмохимического травления арсенида галлия в качестве плазмообразующего газа можно использовать:

   тетрафторметан;

   трифторид бора;

   трихлорид бора;

   шестифтористую серу.

    
8. Для плазмохимического травления диоксида кремния в качестве плазмообразующего газа можно использовать:

   тетрахлорметан;

   трихлорид бора;

   хлористый водород;

   тетрафторэтилен.

    
9. Скорость процесса травления в кинетическом режиме с увеличением температуры:

   растет линейно;

   растет экспоненциально;

   растет по закону трех вторых;

   не изменяется.

    
10. Наибольшие значения энергии активации характерны для процессов:

    физической адсорбции;

    диффузии активных частиц через слой продукта;

    хемосорбции.